论文部分内容阅读
自旋电荷分离的新型稀磁半导体研究进展
【机 构】
:
中国科学院物理研究所 北京 100190
【出 处】
:
中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会
【发表日期】
:
2016年4期
其他文献
Hole-doping and pressure effects on the Ⅱ-Ⅱ-Ⅴ based diluted magnetic semiconductor (Ba1-xKx)(Zn1-yMn
会议
会议