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<正>碳化硅（SiC）是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大
半绝缘SiC晶体最新研究进展
【摘 要】
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碳化硅（SiC）是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
【发表日期】
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2009年01期
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