【摘 要】
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本文设计了一款全集成CMOS超宽带低噪声放大器.应用片上高通滤波网络和感性源极退化技术,实现了低噪放带内的输入匹配.低频段的高增益特性和高频段的噪声匹配使得带内保持低
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文设计了一款全集成CMOS超宽带低噪声放大器.应用片上高通滤波网络和感性源极退化技术,实现了低噪放带内的输入匹配.低频段的高增益特性和高频段的噪声匹配使得带内保持低噪声。为buffer级引入尖峰技术提高高频增益，不影响匹配和噪声特性的同时拓展了增益带宽。采用了电流复用技术，实现了低频段第一级放大的高增益而不消耗更多能量.仿真结果与理论分析相符,电路具有较低功耗和均衡的性能.本文未对设计版图进行EM仿真，这是考虑到直接在Calibre环境中讨论MOS layout对其性能的影响是不够准确。这部分研究还需要精确的建模，而模型可以采用集总参数来描述。后续的工作还需对MOS layout进行优化进行流片以后的测试。
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