【摘 要】
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研究设计应用于中子辐射成像的高产额中子管,由于其内部结构复杂和高中子产额、强束流,对引出的束流品质和离子光学系统设计要求严格.在强束流、高产额条件下工作,离子源和靶
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳 621900
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研究设计应用于中子辐射成像的高产额中子管,由于其内部结构复杂和高中子产额、强束流,对引出的束流品质和离子光学系统设计要求严格.在强束流、高产额条件下工作,离子源和靶极的散热设计也极为苛刻.为此在束流计算的基础上,对高产额中子管的主要技术途径和拟采取的方法进行了探索和相关设计,相关试验和设计已取得一定进展.
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