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稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制
稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制
来源 :中国第六届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xy_lfr
【摘 要】
:
本文在采用“化学退火”方法制备优质稳定的a-Si:H的基础上,发展了一种“不间断生长/退火”技术,在沉积过程中,用大量原子态的氢不间断地对生长表面进行所谓“化学退火”处理
【作 者】
:
刁宏伟
张世斌
王永谦
廖显伯
孔光临
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室(北京)
【出 处】
:
中国第六届光伏会议
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
退火
不间断
生长速率
间断生长
化学
光电性质
费米能级
沉积过程
原子态
稳定性
位置
微量
控制
技术
基础
法制
处理
掺入
材料
补偿
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本文在采用“化学退火”方法制备优质稳定的a-Si:H的基础上,发展了一种“不间断生长/退火”技术,在沉积过程中,用大量原子态的氢不间断地对生长表面进行所谓“化学退火”处理,并掺入微量的硼进行补偿,以控制费米能级的位置,显著改善了材料的光电性质和稳定性,同时也增大了生长速率.
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