绝缘的六角氮化硼(h-BN)衬底能够保留石墨烯出众的性能。垂直或横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结可被用来制备出新奇的电学器件。目前对制备出尺寸可控的高质量六角氮化硼(h-BN)、石墨烯和石墨烯/六角氮化硼的需求非常强烈，但其合成面临巨大的挑战。在本报告中，我将介绍利用化学气相沉积(CVD)方法直接在机械转移得到的六角氮化硼上生长石墨烯。利用新发现的气态表面催化剂硅烷能够有效的与乙炔反应，恰恰使单晶石墨烯能在六角氮化硼上均匀生长。生长速度达到1微米/分钟，较先前文献报道的生长速度提高2～3个数量级。典型的晶畴尺寸达到10～20微米，该尺寸已达到实用器件的范围。同时，我会介绍利用优化过的铜-镍合金作为催化剂合成出晶畴尺寸超过百微米的单晶六角氮化硼的实验结果。另外，也针对在六角氮化硼上利用CVD方法合成的垂直和横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结的实验结果进行讨论。最后有关在单晶核上生长英寸级石墨烯晶片以及制备大尺寸A-B型堆叠双层石墨烯的研究进展也将做简要介绍。