集成CMOS管1/f噪声测试系统

来源 :第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshiwl0000

【摘要】

：

互补金属氧化物半导体(CMOS)的1/f噪声决定了集成前置放大器的噪声，取得精确的1/f噪声系数是进行低噪声集成前置放大器设计的关键。本文设计了一种噪声测量系统，用于测量CMOS处

【作者】

：

李衍存;邓智;刘以农;

【机构】

：

清华大学,北京100084

【出处】

：

第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

【发表日期】

：

2008年期

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互补金属氧化物半导体(CMOS)的1/f噪声决定了集成前置放大器的噪声，取得精确的1/f噪声系数是进行低噪声集成前置放大器设计的关键。本文设计了一种噪声测量系统，用于测量CMOS处于不同工作状态时的1/f噪声特性。该测量系统仿真结果为：等效输入电压噪声功率谱密度0.2nV/√Hz，等效输入电流噪声功率谱密度为0.4pA/√Hz，3dB带宽为0.9MHz.

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