【摘 要】
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采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火
【机 构】
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纳米加工平台,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123
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采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火后,栅电极反向泄漏电流降低了四个数量级,关态耐压从45V提高到190V;正向栅电压最高可以加到+5.0V,栅压为+5.0V时最大饱和输出电流520mA/mm;阈值电压-2.7V,最大跨导达到100ms/mm.转移特性正反向扫描测试表明所制备的Al2O3介质层与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.
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