【摘 要】
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集成电路硅晶片及芯片制造中对材料表面具有原子级粗糙度、洁净度和低损伤的加工要求.化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)后清洗工艺中面临纳米颗粒污染问题,突出表现在以下方面:(1)纳米颗粒吸附力强;(2)纳米尺度分析难度大;(3)新材料.本项目利用荧光显微技术对清洗工艺中纳米颗粒运动进行实时观测,利用原子力显微镜对纳米颗粒与表面作用力进行分析,建立纳米颗粒
【出 处】
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第十二届设计与制造前沿国际会议(ICFDM2016)
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集成电路硅晶片及芯片制造中对材料表面具有原子级粗糙度、洁净度和低损伤的加工要求.化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)后清洗工艺中面临纳米颗粒污染问题,突出表现在以下方面:(1)纳米颗粒吸附力强;(2)纳米尺度分析难度大;(3)新材料.本项目利用荧光显微技术对清洗工艺中纳米颗粒运动进行实时观测,利用原子力显微镜对纳米颗粒与表面作用力进行分析,建立纳米颗粒运动的物理模型,改进清洗工艺,更有效控制CMP后清洗中的纳米颗粒去除.
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