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Heterogeneous Integration of GaSb-based epitaxy on silicon-on-insulator:towards mid-infrared photoni

来源 :第十届中红外光电子材料与器件国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shibaotuan

【作 者】

：

N.Hattasan L.Cerutti J.B.Rodriguez E.Tournié D.Van Thourhout G.Roelkens 

【机 构】

：

photonics Research Group-UGent/IMEC,Sint-Pietersnieuwstraat 41,9000 Gent,Belgium

【出 处】

：

第十届中红外光电子材料与器件国际会议

【发表日期】

：

2010年4期

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