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通过模拟仿真软件对基于4H-SiC的肖特基辐射探测器做了模拟研究和分析。在使用ISE软件模拟4H-SiC肖特基探测器在不同偏压和不同的γ射线的剂量率下器件的响应，模拟中得到了在10-3rad/s到300rad/s时，器件都有非常好的线性响应，而且4H-SiC辐射探测器在高温环境下也表现出非常优异的探测性能，即使在500K的高温条件下器件仍然能很好地工作。