随着信息技术的进步,存储器件正朝高密度、高速度和低功耗的目标发展。反铁磁材料具有净磁矩为零,抗干扰能力强,超快擦写速度等优势,在下一代高密度信息存储领域具有竞争潜力。操控和探测反铁磁磁矩是实现反铁磁存储信息写入与读出技术的关键。具有两亚晶格自旋相反特点的Mn₂Au是一种独特的体心四方反铁磁金属材料,可以用类场力矩效应翻转其磁矩到垂直于电流方向。我们用简单的磁控溅射方法生长了准外延的（103）,（101）和（204）Mn₂Au薄膜。在室温下施加一个短电流脉冲,分别翻转了制备的各个取向Mn₂Au磁矩,发现由于各取向Mn₂Au的磁晶各向异性能不同,不同取向的Mn₂Au表现出迥异的翻转特征。此外,在Pt/Mn₂Au体系中,发现霍尔电阻的变化方向与纯Mn₂Au相反,而Mn₂Au的各向异性磁电阻效应可以体现磁矩翻转的过程和状态,说明Pt/Mn₂Au体系与纯Mn₂Au体系的磁矩翻转方向相反,磁矩被翻转到平行于电流方向,此时Mn₂Au磁矩翻转的主要机制为抗阻尼力矩。除了实现Mn₂Au磁矩翻转的基本功能,首次在反铁磁材料中发现取向相关的自旋轨道力矩翻转特征,以及多种力矩机制对Mn₂Au磁矩的翻转,是实现反铁磁材料电学调控的重要一步。我们不仅可以使用直流电流直接引起反铁磁Mn₂Au磁矩翻转,也可以向Mn₂Au/Py双层膜中通入交流电流,在Mn₂Au中转化为自旋流,产生自旋力矩作用于Py,产生与自旋极化方向平行的自旋流。在传统的中心对称的晶体材料中,电流只能转化为与自旋极化方向垂直的自旋流。而在全局中心对称和亚晶格中心反演对称性破缺共存的Mn₂Au中,电流还可以转化为与自旋极化方向平行的自旋流。这种自旋电荷转换的新物理机制是实现无场辅助翻转Mn₂Au上垂直磁化铁磁材料的基础,对自旋电子学的发展具有重要意义。