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X射线衍射（XRD）和正电子湮没寿命谱等手段研究表明，溶胶-凝胶法制备的纯纳米SnO<,2>和掺杂SiO<,2>材料中只存在单空位大小的自由体积和十几个空位大小的微孔洞两类界面缺陷。低于晶化温度（500℃）长时间退火时，两类缺陷含量比变化不大，而高于晶化温度（600℃）退火时，可使界面缺陷逐渐修复。进一步掺杂SiO<,2>后，纳米SnO<,2>晶粒生长受到抑制作用。