论文部分内容阅读
本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播.利用湿法腐蚀有效地显示了GaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头.在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,表明外延生长过程中位错密度逐渐降低,它是由于GaN生长过程中位错相互作用.外延时GaN膜中应力非常大,达到一定程度就会产生裂纹.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)可观察到接近裂纹处位错密度要比远离裂纹处位错密度高.