【摘 要】
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采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn 薄膜进行硫化，制备出ZnS 薄膜.薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描
【机 构】
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武汉科技大学理学院,武汉430000
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采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn 薄膜进行硫化，制备出ZnS 薄膜.薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征.利用慢正电子湮没多普勒展宽对四个不同硫化温度下得到的ZnS 薄膜样品中膜层结构缺陷进行研究，测量了薄膜中的空位型微观缺陷的相对浓度，指出445 ℃硫化样品中正电子注入能量在1.5～4.5 keV后S 参数最小，说明该硫化温度下反应生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度最小，膜的致密度最高.XRD结果显示薄膜在445 ℃以上硫化后，呈(111)择优生长趋势.从扫描电镜的结果也可以看出，在445 ℃硫化后，薄膜的晶粒明显地变得更大、更致密，这是因为ZnS 晶胞比Zn 晶胞大以及硫化过程中ZnS 固相再结晶的缘故.
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