纳米压印制备高密度铁电高分子薄膜阵列

来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ffdsfdsadsfafdsa
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  信息和电子技术的飞速发展使有机电子器件的微型、柔性和透明化日益成为关注热点。高分子铁电材料的电性能卓越,适用于高密度红外传感阵列、数据存储或场效应晶体管等。如何得到高密度、低缺陷的铁电高分子阵列并表征其电性能,是当前研究的趋势和难点。我们利用溶液旋涂法低温制备偏氟乙烯基铁电高分子的超薄膜,并采用纳米压印技术对超薄膜进行加工,得到了高覆盖率、大面积的铁电高分子薄膜阵列。纳米加工后的铁电高分子的晶体结构和链构象发生了一定程度的变化,但铁电高分子仍然保持了良好的压电性;利用压电力显微镜探针施加电场,可以在铁电高分子阵列上存储信息。纳米压印后的有机高分子铁电纳米薄膜能够实现GB/inch2 的存储密度,同时功耗也将大大降低。
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