单壁碳纳米管(SWNTs)由于其特殊的结构、优异的性能被认为是下一代电子器件中的主体材料之一。目前，对SWNTs的潜在应用正在进行广泛研究，包括量子导线，电子器件，复合材料，电致发光，光致发光，化学传感器和纳米粒子载体等。对于碳纳米管基场效应晶体管而言，其碳纳米管阵列的半导体性和密度是制约性能的主要因素。其中，高密度单壁碳纳米管制备的难度在于催化剂在生长过程中的失活。我们提出了一种“特洛伊催化剂”生长超高密度单壁碳纳米管水平阵列的方法，让碳管的生长基底作为催化剂的容器，催化剂先进入到基底中，然后在生长条件下持续不断的析出，从而持续不断的催化生长碳纳米管，从而提高单壁碳纳米管水平阵列的密度，我们已经实现最高可达130SWNTs/μm的高密度单壁碳纳米管水平阵列的制备。利用这种生长方法，通过选择不同的催化剂、基底或生长条件，有望实现高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列的制备。