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本文首先利用磁控溅射方法在Si (111)和GaAs (100)衬底上溅射一层ZnO籽晶,然后利用低温化学水浴法在籽晶层上制备ZnO纳米结构。扫描电镜结果显示Si(111)衬底和GaAs(100)衬底上的ZnO结构上具有明显差别,Si (111)衬底上制备出了排列均匀、具有C轴择优取向的六角结构ZnO纳米棒阵列,而在GaAs (100)衬底上制备出了ZnO纳米墙结构。研究表明这是由于Si (111)和GaAs (100)衬底的表面原子结构具有较大差异、ZnO生长过程中产生了不同的生长模型造成的。