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InGaAs是一种制作THz光电导天线的重要半导体材料.利用气态分子束外延技术在低温下生长了InGaAs材料，通过高分辨×射线衍射技术研究了不同生长温度和砷烷压力对外延层质量的影响，优化了分子束外延生长工艺.同时在InGaAs中引入p型受主Be来补偿载流子浓度，以提高材料的暗电阻.最后获得了质量较好的低温InGaAs/InAIAs超晶格，方块电阻达到1.63×106Ω/口.基于这种超晶格制成的THz光电导天线有很高的应用前景.