【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部,苏州215125;中国科学院半导体研究所,北京100083;中国科学院研究生院,北京100049
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加了一倍,带边发射峰峰位出现红移.对所得数据进行Arrhenius拟合分析表明：纳米柱的形成发光使InGaN层的表面积增加为原来的1.5倍,高温下(70K以上)与表面相关的非辐射复合增加为原来的2倍,导致纳米柱样品发光的积分强度下降幅度更大；低温下表面复合被抑制,并且与In组分起伏相关的非辐射复合减少为原来的1/3.结果显示,应力会影响与In组分不均匀性相关的局域态,将薄膜样品刻蚀成纳米柱后,InGaN层应力释放会增加该局域态的有效局域深度,降低载流子的逃逸几率,提高局域激子的有效复合效率.
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有机太阳能电池作为一种新型电池,由于其具有轻薄、低成本、可卷曲、可大规模制备等潜在的优点而受到科研工作者的极大关注[1].但其转化效率和无机太阳电池相比,还很低,离实用化还有很远的距离.因此开发新的有机太阳电池材料并提高其转化效率是当前有机太阳能电池研究的一个重点.卟啉分子含有离域的平面大Π键,在可见光范围内有很好的吸收,具有良好的光电性质,可作为电子给体材料[2]在有机太阳能电池中应用.本文采用
合成了一种新型的Ir配合物Bis(2-(3,5-dimethylphenyl)quinoline-C2,N)(acetylacetonato)iridium(Ⅲ)(结构如图DMPQ2Iracac),该配合物与经典的桔红磷光配合物PQ2Iracac相比,在配体的苯环上引入了两个推电子甲基基团,大大改善了配合物红光性能,光谱红移超过20nm且半峰宽减小了12 nm,甲基的引入还增加了空间位阻及分子刚性
宽禁带ZnO作为新型低成本LED材料,成为近十几年来的研究热点。然而,ZnO的p型掺杂瓶颈却成为制约ZnO基实用化LED器件开发的关键问题。本文首先采用自行设计的金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在Si单晶衬底上生长高结晶质量ZnO薄膜,进而研制出ZnO/Si基异质结LED器件。研究表明,n-ZnO/n+-Si异质结与传统的n-ZnO/p+-Si异质结相比具有更好的电致发光特性,呈现出显著的近
本文采用匀胶凝胶法制备了不同厚度的[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)薄膜,研究了不同厚度的PCBM作为阳极修饰层对有机电致发光器件(OLEDs)性能的影响。通过一系列器件光电性能的测试,对相关机理进行了探讨。适宜厚度的PCBM薄膜可以作为有效的阳极修饰层,优化空穴从氧化铟锡(ITO)阳极到空穴传输层的有效注入,使得有机电致发光器件获得了更低的驱动电压及更高的功率效率。同时,制备了"纯空
采用一种低成本的超声喷雾热分解方法,以醋酸锌和硝酸铟水溶液为前驱体,在单晶GaAs(100)衬底上制备出ZnO以及In掺杂ZnO的多晶薄膜,并进一步研制出ZnO/GaAs基异质结LED器件,着重探讨了In掺杂对ZnO薄膜结构、光电性质以及ZnO/GaAs异质结电致发光行为的影响机制.研究发现,随着In元素掺入,ZnO薄膜的(002)晶体取向性变弱,同时n型电导显著增强,表明In元素已掺杂进入ZnO
本文利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光(PL)光谱研究了利用MOCVD在Ge衬底上生长的GaInP外延层的结构和光学性质.HRTEM图像结果表明没有任何结构缺陷存在.实验中发现,相对于未掺杂结构,Si掺杂导致了GaInP结构从有序到无序的转变,并进而带来了带内和近带边发光特性的显著差异.在掺杂材料中,同时观察到了GaInP有序和无序结构的发光,而在未掺杂材料中只观察到了有序结构的发光.我
许多研究结果表明,ZnO同质p-n结的电致发光来自p型ZnO层的缺陷发光,且波长都是在可见波段,而不是紫外波段。实现紫外发光的关键是找到合适的垒层材料,制备量子阱型或p-i-n结型发光二极管。近年来,MgZnO合金被认为是理想的垒层材料。但同ZnO一样,p型MgZnO的制备一直非常困难,成为影响MgZnO在紫外发光二极管中应用的瓶颈。因此,研究Mg对MgZnO本征缺陷和受主掺杂行为的影响规律和机制
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