【摘 要】
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为了设计低温下的红外探测器CMOS读出电路，实现高性能的红外成像探测技术，需对低温下的CMOS特性曲线进行研究，建立实用的物理仿真模型。本文介绍了CMOS低温建模需要设计的系
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
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为了设计低温下的红外探测器CMOS读出电路，实现高性能的红外成像探测技术，需对低温下的CMOS特性曲线进行研究，建立实用的物理仿真模型。本文介绍了CMOS低温建模需要设计的系列化管子，对管子的各种参数进行了测量，并对结果进行了具体分析，研究了CMOS低温77K下的特性曲线，建立了77K下的物理仿真实用模型，利用该模型设计红外探测器CMOS低温电路，通过测试，其仿真结果与低温77K的测试结果基本一致，验证了低温建模方法的可行性，该方法对特种专用集成电路的设计具有重要意义。
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