【摘 要】
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本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果表明：n缓冲层对二极管的反向恢复特性产生了较大的影响，本文只对缓冲层结构进行了初步的探讨。可以预见通过对n缓冲层进一步优化设计和改进工艺，二极管反向恢复软度可望得到进一步提高。
【机 构】
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Yangzhou Yang Jie Semiconductor Co.,Ltd.,Yangzhou 225008,China
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果表明：n缓冲层对二极管的反向恢复特性产生了较大的影响，本文只对缓冲层结构进行了初步的探讨。可以预见通过对n缓冲层进一步优化设计和改进工艺，二极管反向恢复软度可望得到进一步提高。
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