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γ-Fe4N 是一种新型磁记录材料，具有比饱和磁化强度高、记录密度高等优点[1].2012 年印度学者P.Dhanasekaran[2]报道称γ-Fe4N 粉末同时也具有一定的可见光光催化的特性.本文中，我们利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算来对γ-Fe4N 材料的电子结构进行研究.计算结果显示γ-Fe4N 的自旋向上和自旋向下的电子密度不同，使其同时拥有金属性和半导体性.其中Fe1(0 0 0)位置的Fe 原子对材料的金属性有贡献，而Fe2(0.5 0.50)位置的Fe 原子与其他N 原子产生化合键，导致材料同时具有半导体的光催化性.