【摘 要】
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用直流磁控共溅射方法于不同Co溅射功率下(0 W、20 W、80 W)在单晶Si(100)衬底上制备Co掺杂MnxGe1-x(x=0.02,0.1,0.3)薄膜.通过X射线衍射分析仪(XRD)、能量色散X射线光谱
【机 构】
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延边大学理学院物理系 133002
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用直流磁控共溅射方法于不同Co溅射功率下(0 W、20 W、80 W)在单晶Si(100)衬底上制备Co掺杂MnxGe1-x(x=0.02,0.1,0.3)薄膜.通过X射线衍射分析仪(XRD)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)和震动样品磁强计(VSM)等来研究薄膜的结构及磁学性能.分析结果表明：当Co溅射功率为0 W和20 W时,所有Co-MnxGe1-x薄膜都表现出Ge(111)、(220)、(311)三个衍射峰,并且在x为0.02时样品显示为Ge(220)择优取向,Co的引入能减少杂质相衍射峰的产生；当Co溅射功率达到80 W时,薄膜是非晶的,这说明Co、Mn进入到薄膜晶格中并取代了Ge的位置,其立方晶格结构并未发生变化.
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