【摘 要】
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本文系统地描述了一系列银-氧化铟锡(Ag-ITO)共溅薄膜的制备和研究,通过调控薄膜中银的含量,获得了微观结构上的同质混合薄膜,此时少量掺杂的银的含量(＜3at.％)被证明具有最优值.同时,银的引入显著增强了ITO中In2O3多晶的择优取向,尤其反映在其(222)、(400)、(440)峰的强度提升.
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 310027
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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本文系统地描述了一系列银-氧化铟锡(Ag-ITO)共溅薄膜的制备和研究,通过调控薄膜中银的含量,获得了微观结构上的同质混合薄膜,此时少量掺杂的银的含量(＜3at.％)被证明具有最优值.同时,银的引入显著增强了ITO中In2O3多晶的择优取向,尤其反映在其(222)、(400)、(440)峰的强度提升.
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