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研究大功率半导体开关RSD的一种“薄基区-缓冲层-透明阳极”新结构的特点、原理以及对阻断和导通特性的影响。利用工艺软件Silvaco TCAD对新结构进行仿真,模拟得到新结构在比传统结构片厚减小75μm的情况下还能够得到更高的阻断电压,在导通特性中透明阳极浓度从1×1020cm-3下降剑1×1018cm-3时,导通压降减小。从而说明新结构改进了RSD的阻断和导通特性。