【摘 要】
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高质量超导Nb膜是制备量子器件及超导加速腔的关键材料.Nb膜的内部应力大小是衡量Nb膜质量的重要因素之一.为探究Nb膜生长过程中内部应力的产生原因,本文采用直流磁控溅射法在石英基片上沉积Nb膜,并用X射线衍射仪及原子力显微镜对不同溅射参数(溅射气压、基片温度、沉积速率、薄膜厚度)下制备的Nb膜的相结构、内部应力、表面形貌进行测试分析.
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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高质量超导Nb膜是制备量子器件及超导加速腔的关键材料.Nb膜的内部应力大小是衡量Nb膜质量的重要因素之一.为探究Nb膜生长过程中内部应力的产生原因,本文采用直流磁控溅射法在石英基片上沉积Nb膜,并用X射线衍射仪及原子力显微镜对不同溅射参数(溅射气压、基片温度、沉积速率、薄膜厚度)下制备的Nb膜的相结构、内部应力、表面形貌进行测试分析.
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