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氮化镓(GaN)作为新一代半导体材料，在当代高新技术领域有着巨大的应用前景。随着电子器件尺寸的低维化，氮化镓纳米结构在纳米电子器件或纳机电系统中获得越来越多的应用。在实际应用中，半导体纳米结构将会受到表面应力的作用。
氮化镓纳米薄膜在表面应力作用下的热学性能研究
【摘 要】
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氮化镓(GaN)作为新一代半导体材料，在当代高新技术领域有着巨大的应用前景。随着电子器件尺寸的低维化，氮化镓纳米结构在纳米电子器件或纳机电系统中获得越来越多的应用。
【机 构】
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浙江大学 航空航天学院 工程力学系 浙江 杭州 310027
【出 处】
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2014年全国固体力学学术大会
【发表日期】
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2014年期
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