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碳化硅晶体是具有大的禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等优良特性的第三代半导体材料，在蓝光照明、高温、高频及抗辐照器件等方面具有广阔的应用前景。碳化硅晶体也是氮化镓、碳化硅等外延膜的理想衬底，与硅、砷化镓等传统半导体材料相比，具有晶格匹配性高、导热性好等优势。目前，碳化硅基器件已成为国际上研究的一个热点，如何生产出高质量、低缺陷密度的碳化硅单晶已成为制约该领域发展的关键性问题。本文对此进行简述。