【摘 要】
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由于Ag不与超导氧化物发生反应,在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜而不需过渡层,但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影响.研究表明〈uvw〉取向的Ag基带有利于
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由于Ag不与超导氧化物发生反应,在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜而不需过渡层,但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影响.研究表明〈uvw〉取向的Ag基带有利于外延生长具有c取向及面内取向的YBa2Cu2O7-δ超导薄膜,进而使超导膜具有高的临界电流值.目前国内外已能够制备〈uvw〉取向的Ag基带,但其织构强度和集中度还不够高,致使在其上沉积的超导薄膜质量不够好.因此探索Ag中〈uvw〉取向的形成机理,对进一步提高〈uvw〉织构的强度和集中度非常重要。
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