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会议论文
低温镍硅化物硅直接键合
低温镍硅化物硅直接键合
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:flyfish11111
【摘 要】
:
该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层,键合硅片的键合方法,退火温度为440℃拉力试验,扫描电镜试验和超声波测试表明,键合质量较好,键合面积比例很大。Auger电子能谱和x光衍射分析表明,440℃时
【作 者】
:
肖志雄
武国英
【机 构】
:
大学微电子学研究所
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
镍硅化物
键合质量
扫描电镜试验
超声波测试
退火温度
拉力试验
接触特性
硅片
电子能谱
x光衍射
中间层
面积比
分析表
方法
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该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层,键合硅片的键合方法,退火温度为440℃拉力试验,扫描电镜试验和超声波测试表明,键合质量较好,键合面积比例很大。Auger电子能谱和x光衍射分析表明,440℃时生成的硅化物为NiSi。键合硅片对接触特性较好。
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