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I/N界面缓冲层对基于N-μc-SiOx的P-I-N型非晶硅太阳电池性能改善的研究
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;暨南大学暨南大学电子工程系,广州 510632
【出 处】
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2013广东材料发展论坛暨战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会
【发表日期】
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2013年8期
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