【摘 要】
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本文从器件结构和电学特性等方面，对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件，虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得，但栅极的逻辑布线难以实现；对于水平结构器件，虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大，但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能，而且可以保证与硅工艺的兼容性，同时降低Ⅲ-Ⅴ族材
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本文从器件结构和电学特性等方面，对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件，虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得，但栅极的逻辑布线难以实现；对于水平结构器件，虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大，但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能，而且可以保证与硅工艺的兼容性，同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本。研究表明，水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力。
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