【摘 要】
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The efficiency droop of InGaN/GaN(InGaN) multiple quantum well (MQW) light emitting diodes(LEDs) with thin quantum barriers (QB) is studied.With thin GaN QB
【机 构】
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Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, People's Repub
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The efficiency droop of InGaN/GaN(InGaN) multiple quantum well (MQW) light emitting diodes(LEDs) with thin quantum barriers (QB) is studied.With thin GaN QB (3 nm to 6 nm thickness), the efficiency behavior is similar with large droop ratio which indicates that hole transport cannot be significantly enhanced by thin QBs.Efficiency droop was reduced by using a InGaN staircase QB (InGaN SC-QB) MQWs structure, which lower the transport energy barrier of holes and can also improve the electron confinement.The efficiency droop ratio was as low as 3.3% up to 200 A/cm2, with small blue shift and narrow full width at half maximum (FWHM)of 17.2 nm at 200 A/cm2 EL injection.
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