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14MeV(d,T)中子治疗机治疗头的设计
14MeV(d,T)中子治疗机治疗头的设计
来源 :第四届全国医用加速器会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bbxxxb
【摘 要】
:
该文用Monte Carlo方法模拟计算了屏蔽T(d,n)4/He快中子的各种材料的屏蔽能力。把T(d,n)4/He快中子源作为治疗机的治疗头,采用了多层屏蔽的方法,并说明了各层屏蔽的材料及其厚度的选择原则。
【作 者】
:
杨化中
陈天华
【机 构】
:
大学现代物理系
【出 处】
:
第四届全国医用加速器会议
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
快中子
治疗机
多层屏蔽
选择原则
模拟计算
各种材料
方法
中子源
能力
厚度
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该文用Monte Carlo方法模拟计算了屏蔽T(d,n)4/He快中子的各种材料的屏蔽能力。把T(d,n)4/He快中子源作为治疗机的治疗头,采用了多层屏蔽的方法,并说明了各层屏蔽的材料及其厚度的选择原则。
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