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该文用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）４／Ｈｅ快中子的各种材料的屏蔽能力。把Ｔ（ｄ，ｎ）４／Ｈｅ快中子源作为治疗机的治疗头，采用了多层屏蔽的方法，并说明了各层屏蔽的材料及其厚度的选择原则。
14MeV(d,T)中子治疗机治疗头的设计
【摘 要】
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该文用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）４／Ｈｅ快中子的各种材料的屏蔽能力。把Ｔ（ｄ，ｎ）４／Ｈｅ快中子源作为治疗机的治疗头，采用了多层屏蔽的方法，并说明了各层屏蔽的材料及其厚度的选择原则。
【机 构】
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大学现代物理系
【出 处】
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第四届全国医用加速器会议
【发表日期】
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1997年期
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