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用等离子增强化学气相沉积方法生长二氧化硅波导时，如果波导间距较小，会在波导芯层间产生空隙，并因此导致损耗增加。本文针对这个问题，提出一种新颖的简便方法，在上包层使用硼锗共掺，利用高温退火工艺，实现二氧化硅波导间隙填充，从而降低波导损耗。通过扫描电子显微镜观察到空隙填充的效果图，并在基于阵列波导光栅的三波分复用器制作实验上验证此方法，成功将通道损耗降低了约3dB。相对于传统的硼磷硅玻璃工艺，此方法避免了剧毒气体磷烷的使用，工艺更加简便安全，并节约了成本。