铟镓锌氧化物半导体器件开发

来源 :2014中国平板显示学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gratify

【摘要】

：

本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测试.结果表明以SiOx-2为栅绝缘层(GI),IGZO沉积功率为6KW,600A制成的半导体层的器件具有较好的电特性及稳定性,Vth为0.67V,载流S.S为0.17V/dec,Ion/Ioff大于108,符合驱动器件的要求.且在5000s,80℃,+/-1OV的条件下,S

【作者】

：

吕晓文苏智昱李文辉石龙强张合静曾志远王宜凡

【机构】

：

深圳华星光电技术有限公司AMOLED开发部,深圳 518132

【出处】

：

2014中国平板显示学术会议

【发表日期】

：

2014年4期

【关键词】

：

铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学性能栅绝缘层信赖性测试

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