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会议论文
MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法
MOSFET漏源电压谷底时刻微分检测法
来源 :第三届中国高校电力电子与电力传动学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiyouyou
【摘 要】
:
本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优点,分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测方法及其缺陷,提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电压谷底检测方法,实现
【作 者】
:
王亮
张波
丘东元
【机 构】
:
华南理工大学电力学院,广州市 510640
【出 处】
:
第三届中国高校电力电子与电力传动学术年会
【发表日期】
:
2009年期
【关键词】
:
电压
微分
检测方法
准谐振
反激式
电源管理芯片
谐振技术
可行性
方法及
磁检测
变换器
证明
实验
仿真
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本文介绍了在反激式变换器中引入准谐振技术的优点,分析了现有反激式电源管理芯片实现准谐振的去磁检测方法及其缺陷,提出了一种基于MOSFET漏源电压微分的电压谷底检测方法,实现了MOSFET的谷底开通。最后进行了仿真和实验,证明了该方法的可行性。
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