论文部分内容阅读
该文报道在溅射的Fe/si多层膜中发现的较高负磁电阻效应，磁电阻比为目前国际最高值。并进而研究了电子输运性质与si层，及整个膜厚的依赖关系。研究结果表明，Fe／si多层膜中的层间耦合机制是与一般磁性金属/非磁金属系统的RKKY作用是一致的。引言：自从在Fe／Si多层膜中发现巨磁电阻效应以来，人们对各种多层膜系统都进行了广泛的研究。Inomata等人第一次报道了Fe/Si多层膜中的巨磁电阻效应，当Si层厚度不同时磁电阻效应存在两种不同的温度依赖性。并由此得出结论，Fe/si多层膜中的层间耦合是由窄带半导体Fe/si化合物中的局域态通过热激发导致的[1]。然而，Inomata等人发现的磁电阻比仅为0.1-0.15，曾有入怀疑如此小的磁电阻效应可能来源于Fe层中的磁化强度的混乱分布，而并非反铁磁耦合所致[2]。为了更好地理解Fe/si多层膜的层问耦合机制有必要更细致的研究。