【摘 要】
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本文利用反应磁控溅射方法在晶格匹配的ZnO衬底上外延生长出单一六方相的Mg0.49Zn0.51O薄膜,并制备了金属-半导体-金属结构的日盲型探测器.计算和实验结果均表明厚膜MgZn
【机 构】
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中科院福建物质结构研究所材料化学与物理研究室福州350002
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本文利用反应磁控溅射方法在晶格匹配的ZnO衬底上外延生长出单一六方相的Mg0.49Zn0.51O薄膜,并制备了金属-半导体-金属结构的日盲型探测器.计算和实验结果均表明厚膜MgZnO可以抑制ZnO衬底信号,从而实现日盲信号的探测.采用2μm厚的MgZnO薄膜制备的日盲探测器,在10偏压下,器件的响应峰为260 nm,起峰波长为285 nm,响应度达到了304 mA/W.同时,器件的暗电流小于1 pA,抑制比(R260 nm/R365 nm)大于5×102,表明氧化锌衬底的信号得到有效地抑制.
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