【摘 要】
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Zn0是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，具有六角纤锌矿结构。如何制备高质量的Zn0薄膜成为目前研究的热点。用原子层沉积法在Si(100)衬底上沉积ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640
【出 处】
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广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会
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Zn0是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，具有六角纤锌矿结构。如何制备高质量的Zn0薄膜成为目前研究的热点。用原子层沉积法在Si(100)衬底上沉积ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对样品成分和表面形貌进行分析,可知所得的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的平均尺寸为53nm.样品在500℃,N2气氛中退火后,薄膜结晶程度更好,颗粒的平均尺寸变大.
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