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ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位元件的方法可以有效避免栅过耦合效应,另外,采用衬底触发技术可以完全避免栅过耦合效应。
ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策
【摘 要】
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ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位
【机 构】
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华南理工大学 物理科学与技术学院,广东 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东 广州 510610
【出 处】
：
中国电子学会第十四届青年学术年会
【发表日期】
：
2008年期
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