【摘 要】
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本文首先阐述毫米波MEMS移相器芯片级封装方法和信号馈通方式.通过分析芯片级封装方法和信号线互连方式对毫米波MEMS移相器的成本、重量、尺寸、损耗和功能的影响,提出一种适用于毫米波MEMS移相器的新型封装结构,该结构采用拥有垂直信号线互连的薄硅作为MEMS器件的衬底,并用芯片微封装方法对MEMS器件进行封装.该新型封装结构具有许多优点,例如芯片微封装方法不仅降低寄生效应,而且也能与MEMS器件的制
【机 构】
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哈尔滨理工大学,黑龙江,150080 哈尔滨工业大学,黑龙江,150001
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本文首先阐述毫米波MEMS移相器芯片级封装方法和信号馈通方式.通过分析芯片级封装方法和信号线互连方式对毫米波MEMS移相器的成本、重量、尺寸、损耗和功能的影响,提出一种适用于毫米波MEMS移相器的新型封装结构,该结构采用拥有垂直信号线互连的薄硅作为MEMS器件的衬底,并用芯片微封装方法对MEMS器件进行封装.该新型封装结构具有许多优点,例如芯片微封装方法不仅降低寄生效应,而且也能与MEMS器件的制作工艺兼容:而穿过薄硅的垂直信号线互连能降低寄生电容,缩短互连电路连线,利于表面贴装.因此,新型封装结构能明显降低电路的损耗和制备成本,从而改进了毫米波MEMS移相器的性能.
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