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本报告拟介绍氧化铪基铁电薄膜材料这种全新的铁电薄膜材料的特点和性能，该薄膜对突破铁电存储器的发展瓶颈具有重要意义。然后介绍了在不高于650℃下采用原子层沉积(ALD)制备氧化铪基铁电薄膜的工艺研究，所制备的薄膜性能优异，且制备工艺与CMOS后栅工艺高度兼容。最后，介绍了制备氧化铪基晶体管型铁电存储器单元的后栅工艺，界面调控可以有效地提高氧化铪基铁电存储器的性能。