CuInS2晶体结构预测及电子结构性质

来源 :2015年光学精密工程论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:horns01
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利用基于多目标粒子群优化算法的卡里普索(CALYPSO)软件预测了CuInS2晶体在常压下的结构.结果表明CuInS2晶体在常压下为四方晶系,空间群为1-42 d.计算了CuInS2晶体的弹性常数矩阵,得到的弹性常数满足了晶体的机械稳定型条件.通过弹性常数计算了体模量,杨氏模量和剪切模量.最后,分别用杂化泛函方法计算了CuInS2的能带结构和投影态密度,结果显示CuInS2晶体为直接带隙半导体,带隙为1.22 eV.为了进一步分析CuInS2晶体的性质,计算了电荷密度和电子局域函数.结果显示,Cu在CuInS2中的成键过程发生了电荷转移,Cu原子和S原子之间是共价键为主,In原子和S原子之间是离子键为主.
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