【摘 要】
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本文介绍了基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件的中心频率3.45 GHz的宽带功率放大器的设计,电路采用两级放大器级联实现.利用负载牵引法结合仿真软件确定了功放管
【机 构】
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毫米波国家重点实验室,东南大学,南京210096
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
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本文介绍了基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件的中心频率3.45 GHz的宽带功率放大器的设计,电路采用两级放大器级联实现.利用负载牵引法结合仿真软件确定了功放管的最佳输入阻抗和最佳输出阻抗.在工作频率3.45 GHz,1dB压缩点输出功率45dBm,功率增益37.4dB.当输入信号为带宽100MHz调制信号,信号峰均比9.8dBc的五载波聚合LTE-A信号,输出平均功率32dBm情况下,ACLR能够达到-41.7dBc.
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