【摘 要】
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经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而
【机 构】
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中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029中国科学院高能物理研究所,北京,100049
【出 处】
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北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会
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经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而且金会污染硅基集成电路;而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺,不会污染硅基集成电路,是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺,不同于常规工艺,电子束光刻显影后,以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF6/CHF3作为反应气体,电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.
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