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采用磁控溅射工艺试制低TCR的Cr—Si<,2>薄膜电阻
采用磁控溅射工艺试制低TCR的Cr—Si<,2>薄膜电阻
来源 :第十三届全国混合集成电路学术会议论文专辑 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sketchupbim
【摘 要】
:
本文以Cr-Si为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.
【作 者】
:
姜贵云
【机 构】
:
北京飞宇微电子有限责任公司
【出 处】
:
第十三届全国混合集成电路学术会议论文专辑
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
磁控溅射工艺
试制
电阻薄膜
应用
高频
方阻
产品
靶材
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本文以Cr-Si<,2>为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.
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