【摘 要】
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(BST)基介电陶瓷材料是陶瓷电容器的常用介电材料,在BaTiO3(BT)中掺杂适量的SrTiO3将会大大提高介电常数,改善陶瓷的介电性能.然而,纯BST和BT陶瓷的介电常数随温度发生较大的变化,很难满足一些高档电子整机的要求.为了研制高温度稳定特性和较高介电常数的电容器陶瓷材料,必须对BST陶瓷材料进行掺杂改性1.本实验采用传统固相反应法,利用阻抗分析仪等方法系统研究了CuO掺杂量对(Ba0.5
【机 构】
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桂林理工大学材料科学与工程学院,桂林 541004
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(BST)基介电陶瓷材料是陶瓷电容器的常用介电材料,在BaTiO3(BT)中掺杂适量的SrTiO3将会大大提高介电常数,改善陶瓷的介电性能.然而,纯BST和BT陶瓷的介电常数随温度发生较大的变化,很难满足一些高档电子整机的要求.为了研制高温度稳定特性和较高介电常数的电容器陶瓷材料,必须对BST陶瓷材料进行掺杂改性1.本实验采用传统固相反应法,利用阻抗分析仪等方法系统研究了CuO掺杂量对(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)基电容器陶瓷物相结构和介电性能的影响,探讨其掺杂改性的机制,为研制高介电常数和低介电损耗的电容器陶瓷材料提供依据.结果表明:CuO掺杂没有改变BST陶瓷主晶相,随着掺杂量的增加未出现杂相.CuO掺杂BST陶瓷具有大的介电常数和较小的介电损耗.当掺杂量为15wt%时,在室温下介电常数可达120000左右;当掺杂量为5wt%时,在室温下介电常数(εr)=1783,介电损耗(tanδ)=0.046.
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