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ZnO是宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，自从1996年ZnO薄膜光泵浦紫外激射报导后，再次引起人们的极大关注。室温下，ZnO的禁带宽度为3.37eV，其能带由O2-满的2p电子能级和Zn2+空的4s能级组成。ZnO激子束缚能高达60meV，与ZnSe、ZnS、GaN等发光材料相比，是更适合用于室温或更高温度下的紫外光发光材料。